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氮化鋁陶瓷零件
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產品名稱

氮化鋁陶瓷零件

加工精度 0.01mm
是否定製 可按圖紙定製
粗糙度 0.01μm
材料成分 氮化鋁陶瓷
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氮化鋁陶瓷

氮化鋁陶瓷具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數、無毒、以及與Si相匹配的熱膨脹係數等優異性能,將逐步取代傳統大功率LED基板材料,成為今後最具發展前途的一種陶瓷基板材料。一般來說,LED發光效率和使用壽命會隨結溫的增加而下降,當結溫達到125℃以上時,LED甚至會出現失效。為使LED結溫保持在較低溫度下,必須采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝,以降低LED總體的封裝熱阻。

氮化鋁陶瓷

精密氮化矽陶瓷

   氮化鋁陶瓷綜合性能優良,理論熱導率為320W/(m),具有優良的熱傳導性,可靠的電絕緣性,低介電常數和損耗,無毒以及與矽相匹配的熱膨脹係數。 利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可製作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件,利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩定,但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表麵暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性,可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中廣泛應用。

 

 

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